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BSS138型号参数和PDF资料下载

厂家:

描述:MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23

产品培训模块:High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch

标准包装:3,000

类别:分离式半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss):50V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:220mA

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.5 欧姆 @ 220mA,10V

Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 1mA

闸电荷(Qg) @ Vgs:2.4nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds:27pF @ 25V

功率 - 最大:360mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商设备封装:SOT-23

包装:带卷 (TR)

其它名称:BSS138TR

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BSS138相关文章和问答
  • 求I2C电平转换NMOS管的参考型号 2017-8-21 7:23:35
  • 作者:小小秀秀

    主板上I2C的电平是3.3V,子板上的I2C电平是2.8V.我采用了上拉电阻和NMOS管的简单方法来实现电平转换.请问大家一般都用什么型号的NMOS管?请告诉我具体的型号名称.谢谢了~~还请大家赐教!(补充--子板2.8V的电流是在500MA-1A)

    作者:小小秀秀

    自己先顶下。还望大家赐教啊 !

    作者:lyjian

    没必要转换

    作者:小小秀秀

    如果是3.3V和5V转换呢。该使用什么型号的NMOS管呢。请告诉我具体的型号。谢谢~~

    作者:cobraking

    3.3V和5V转换用的NMOS公司电脑上一个文档里有的,可是现在在家,看不到了。

    作者:PowerAnts

    提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽

    作者:cobraking

    BSS138

  • NMOS管BSS138无法完全控制关闭的问题 2017-8-21 7:23:31
  • 作者:hooler

    NMOS管BSS138无法完全控制关闭的问题我用上面的电路想实现一个简单关闭/开启LED灯的功能,设计思路为: 当3V3电源系统的MCU输出GP62为高电平时,NMOS管BSS138(它的开启电压为0。6V-1V),开启,LED灯D2亮;反之,GP62为低电平(<0.4V)时,NMOS管BSS138应该关闭,LED灯D2随之熄灭。 问题出在,当GP62为低电平(<0.4V)时,LED灯依然有微弱的亮光,说明NMOS管BSS138没有完全关闭。甚至,GP62悬空,只有R100下拉,BSS138还是没有能完全关闭,灯依然有些光亮。 请注意,为排除是MOS管内部二极管的问题,当交换BSS138第2,3脚的管脚连接后,即将BSS138的第2脚改接GND,第3脚改接LED灯的阴极,依然还是存在这个MOS管无法完全关闭的问题。 换用开启电压更高的BSS123(1.5V),上面问题依然存在。各位能解答疑问吗???谢谢。

    作者:hooler

    求解中。。。求解中。。。

    作者:lbx_00

    你的电路图不规范,只能猜了你换一个管子试一试,也许这个坏了,还有,你说开启电压0.6-1v,你看一看管段的时候的栅极电压,如果是0.4v就比较危险了

    作者:hooler

    解答继续征集中。解答继续征集中。。。如一开始所说,已经换过开启栅极电压为1。5V的NMOS管,问题照旧。。

    作者:maychang

    看不清楚图中那个二极管是MOS管体内二极管,还是外加的二极管?如果是体内二极管,那么画反了,如果是外加二极管,它总可以导通。

    作者:chunyang

    MOS管是电压驱动型元件,输入阻抗极高外界哪怕是感应电压都可能使管子导通,楼主应检查PCB有关回路的设计,当然,管子质量也可能是问题的原因。

  • 兄弟们指点一下,常用小功率MOS,做模拟开关用的—— 2017-8-21 7:23:31
  • 作者:Wxy8030

    目前我知道的:NMOS:2N7002PMOS:AO3401做模拟开关用我需要的是非常大的关断电阻(非常小的关断漏电流),对于导通电阻倒不怎么关心,说实话1K以下都没关系,哪位兄弟有用过的,非常便宜好买的告诉我一下啊

    作者:lyjian

    还不如直接用集成的

    作者:Wxy8030

    集成的贵而且不好买——因为对我来说单向就可以了,工作电压5V,电流不超过10mA我甚至想用个三极管搞定,但是关断漏电流大了点,如果能向4051那样做到PA级就完美了

    作者:jpl1007

    用J113

    作者:lyjian

    用MOS FET的话你必须用两个,两个MOS FET的价格不比一片1G66便像1G66这种通用的模拟开关,既便宜又好买真不知道你是怎么想的

    作者:Wxy8030

    谢谢jpl1007 ,有P沟道的么to lyjian别发火哈,因为我用的是单向的,所以一个就够了,1G66再便宜,它还得接电源、地不是,也比一个管子贵不是,而且它的漏电流0.1uA,也不小了

    作者:jpl1007

    k30Wxy8030 我有80个K30......

    作者:赤铸

    多大关断漏电流?多高工作温度?多高工作电压?我用 BSS138,常温,5V,< 10nA

    作者:wh6ic

    你要非常小的泄漏电流是什么原因 小信号PMOS/NMOS管很多, 关断电阻指标你要求的是多少? 为什么限制关断电流? 控制的是什么信号? 是高内阻信号源? 三极管怎么就做不到pA级的关断漏电流? 泄漏大了也可以采取措施解决问题呀.

    作者:Wxy8030

    数据采集用切换模拟通道和数据通道用的——当该模拟通道需要采集一个开关量时,我用模拟开关叠加一个上拉电阻,这样就可以采集该通道的开关量,但如果作为模拟通道使用时,希望该模拟开关+电阻对模拟量的影响越小越好

    作者:赤铸

    模拟量如果能先加跟随器,对开关要求就很低了

    作者:Wxy8030

    还是要在跟随器前叠加上拉电阻的......上拉电阻不可以加在跟随器后面吧?

    作者:linlh11

    1G66导通电阻有4欧姆左右,太大了点,还是NMOS管好,比如NTR4503 ,SOT23封装的,体积很小,不占空间,导通电阻也只有100毫欧姆左右,截止电阻肯定很大了,还不到1块钱的价格。

  • 请专家推荐个用于电平转换的场效应管 2017-8-21 7:23:34
  • 作者:wzf3151

    请专家推荐个用于把5V电平转成3.3V的场效应管,我用于测量脉冲频率,脉冲是5V脉冲,可是单片机是3.3V的,要求栅极漏电流小点,频率响应能跟上,脉冲频率几百k。最好是常用的,性能比较稳定的。谢谢!

    作者:jjjyufan

    为什么一定要用场效应管你?三极管 mos 管 电平转换IC 这三个不行吗?

    作者:wzf3151

    我用场效应管是为了获得比较高的输入阻抗,不想让电平转换元件影响我的前级电路。mos管是场效应管的一种啊,不用电平转换IC是因为我只有一路信号需要电平转换

    作者:hdwgt

    ao34001 3402换去吧,好使。不缺钱的话就用转换芯片

    作者:yewuyi

    电源自己外接的话,什么MOS管基本都可以

    作者:flttxlj

    LZ可以在二姨家的帖子中搜索,之前有问过的额·

    作者:lyjian

    2n70002n7002

    作者:chunyang

    你的5V输出高电平是什么类型?你的后级电路又是什么?有些逻辑器件可以兼容5V和3V逻辑,弱上拉的5V输出也可以直接驱动3V逻辑,即使5V侧的高电平是强上拉输出的,如果后级输入阻抗够高,用电阻分压就可以了。搞清楚为什么,自然就能灵活应对。

    作者:hawksabre

    使用AO3402 N沟道 这个可以 我以前也用过AO3401 P沟道 需要配合三极管2N3904 也可以 你自己选择

    作者:hawksabre

    希望对你有所帮助 图上3.3V电压可以换成5V 在MOS管D端 出电压 加一个分压电阻 3.3V就能出来 希望你试一下 呵呵

    作者:夏日飞鹰

    bss138

  • 用单片机的管脚驱动三极管发生的问题啊?? 2017-8-21 7:23:36
  • 作者:bhsdlmj

    我用P3.6口去驱动一个三极管,我的接法很简单,就是P3.6口出来接一个4.7K的电阻,跟着接一个三极管,型号是MMBT4401,在三极管BE极并接一个10K电阻,E极直接接地,如图所示。当我给P3.6一个高电平时不但驱动不了三极管,反而把P3.6拉低了,电平先约为0.9V.这是不是驱动不了而嵌位呢,具体分析原理是怎样呢,谁能指教小弟一下。当我把那个4.7K的电阻直接去掉时,即将P3.6悬空,P3.6还是高电平,一接通就拉低了。谢谢

    作者:lsqdesign

    8051 I/O口的结构决定的8051的话去掉R23,R22取小一点或直接短路就行了.P3.6设置为高电平的话,电压不会为VCC.这是8051 I/O口的结构决定的,原因可以自己看一下8051 内部 I/O电路,自己想一下.但是电路应该可以正常工作.

    作者:Black_Boy

    把R23去掉看看电路应该没什么问题啊,R23的影响不是很大,你看看是不是R23的电阻选错了,或者烧掉而短路了,你在检查看看,再不行把R23去掉对电路的影响也不是很大。

    作者:smileagain

    根本不需要R23先直接去掉R23再说

    作者:lyjian

    加1K上拉

    作者:5880527

    我们的大学教育四年下来用三极管搭个开关来用都搞不定,所以我就只好从不用那玩意

    作者:bhsdlmj

    那用啥?

    作者:qjy_dali

    传统的51高低电平驱动能力是不对称的  高电平驱动能力差(uA级),低电平驱动能力强(mA级)。LZ恰恰用的是传统51差的地方,这是LZ平时不注意这些细节的结果。  其实,只要LZ去掉对地电阻,NPN三极管改为像BSS138之类的N-MOSFET,就可以稳定驱动了(此时可以把串联电阻换成100欧姆左右)。双极型三极管是电流驱动,可上面我说了,这正是传统51差的地方;而MOSFET是电压驱动,则很适合这种情况。  另一方面,LZ的电路应该考虑了上电时光耦的状态。如果上电时不想让光耦导通,则建议还是改为PNP驱动。如果光耦控制端的电流能控制在2mA以内,可以直接用MCU的IO驱动,前提是光耦的控制端上拉到VCC,串联电阻后用低电平控制。

  • NMOS管疑问 2017-8-21 7:23:34
  • 作者:Guillaume_Meng

    NMOS管疑问一般对于NMOS管,当G端加高电位时,DS间导通,低电位时,DS间截止,但我在仿真时发现不对劲,如图所示:1。左边当开关打开时的Ug=1.51V意味着是Bss138的开启电压吗?2。左边当开关打开DS间应该是截止的呀!为什么Id=4.71mA,难道DS间导通了吗?求解?3。右边DS间是饱和导通了吧?

    作者:Lgz2006

    好多东西都没弄懂,仿真有何用

    作者:Guillaume_Meng

    就是弄不懂才找高手解答,能指点一下吗?谢谢!

    作者:Lgz2006

    1. 打开开关的1.5V应是“残余电压”,不意味着“开启电压”2. 这个残余电压使得它可能不是完全截止3. 应该是完全导通了别到处找“高手”了,这类问题最好自己弄弄

    作者:Siderlee

    “NMOS管,当G端加高电位时,DS间导通,低电位时,DS间截止”这就错了 是GS之间的电压第一和第二种情况,我怀疑是寄生电容搞的鬼,你给门极并联一个10k的电阻试试

    作者:Guillaume_Meng

    你好!谢谢您的回复!看模电基础很难学懂mos管,请问有没有什么学懂mos管的基础方面的书,能介绍几本吗?我找很久也找不到!

    作者:Guillaume_Meng

    您好!谢谢指教!我按您的要求在GS之间并了一10K电阻,请看图!左边开关打开时貌似DS截止;右边开关闭合时也貌似DS导通,但问题是好像Id不等于Is,为什么?求解!

    作者:Siderlee

    果然都是寄生电容的问题;至于测量的电流不相等 我是真不知道不过,PRobe4电流和PRobe5的电流大小相等,方向相反。。。。

    作者:Guillaume_Meng

    Siderlee,我把S极单独接地就可以了,可以看出是仿真软件有点问题。请看下图:

    作者:shalixi

    初学模电不要碰仿真,仿真是对模电已有相当基础的人用的。

    作者:Siderlee

    这软件是什么啊。。。

    作者:Guillaume_Meng

    multisim

  • 请大家帮忙推荐个NMOS管 2017-8-21 7:23:33
  • 作者:dyd0311

    大家好!目前手头上正在MEM2301的NMOS管做开关用,在室温下工作正常,当环境温度升高时,导致管子损坏,无**常工作!判断原因是管的功率在环境温度升高后不够造成的!目前管子的功耗为0.6W左右.找了好久都没找到合适的管子来替换,求求各位大神,有熟知的NMOS管不?帮忙推荐下&……急……MEM2301的参数如图:希望替换的NMOS管的电压与电流方面参数不要改变太大,将功率能提升到1W以上就可以!谢谢……

    作者:dyd0311

    需要使用贴片封装的!

    作者:xmar

    AO3400A

    作者:jjjyufan

    到这里来选http://www.a-power.com.tw/index.aspx?lang=sim&fn=product_list

    作者:jjjyufan

    2301是P管啊,你确定你用对了?

    作者:dyd0311

    不好意思,写错了,我用的NMOS管是2302

    作者:dyd0311

    版主太厉害了……这一眼就看出来了,不好意思

    作者:jjjyufan

    可以试试SI2306 不过你的驱动信号幅值多少?是否开启电压太低了,导致导通电阻大啊。

    作者:zhangmangui

    我以前用的最多的是75nf75

    作者:dingsujie

    BSS138;你要0.6W的话可能需要用TO-252的封装

    作者:丁香雨

    朋友,我这里推荐几款不知道您能用上不,您可以了解一下!希望可以帮到您!198HT1(HJ198N)贴片封装。HJ540 NMOSFET晶体管 TO-257封装。 QQ:2829955230

    作者:Guillaume_Meng

    问大家,图中的 pulsed drain current Idm=15A是什么意思?

    作者:quzhanguang

    两个并联

    作者:dyd0311

    谢谢大家的回复,目前找到了合适的,正在测试。不过,还是有个问题需要问问大家:就是功耗随着温度上升后如何去计算??有没有相应的公式??谢谢……

  • NMOS做开关管的电压问题 2017-8-21 7:23:32
  • 作者:peter_wjp

    各位大侠,小弟最近在参与一个项目,大致情况是这样的:电路中有一些元器件,在上电后是不供电的(或者是不工作的),然后通过按键来控制其工作。使用的是STC单片机,因为手上有现成的NMOS和NPN三极管,单片机输出IO通过限流电阻接到G,S接地,D接负载的GND,负载Vcc接电路的Vcc,程序编写完成后,先后通过LED (贴片)进行测试,工作正常。但是放到实际电路中,就出问题了,大致情况就是当需要通电的元器件(负载)接入电路后,电压很低。我通过模拟软件,大概找到了原因,可能是负载的电阻过小,电压都被NMOS的RDS给分担了。现在请问各位大侠:如果改进电路才能保证负载电阻变化情况下,负载电压是一定的(或者波动很小)我使用了NPN的三极管,基本上是一致的,只是除了负载电阻之外 B级电流也影响负载电压。公司网络屏蔽,不能上传图片,见谅。

    作者:manbo789

    你的基极电阻是多大的?负载额定电流是多少?MOS管和三极管是什么型号?

    作者:peter_wjp

    我现在用的是NMOS, G级串了一个10K的电阻负载额定电流大概200ma,NMOS用的BSS138 我看了下额定电流在200ma上下了。

    作者:manbo789

    明显是MOS管选型不合理,Rds(on)有将近6Ω,建议重新选择MOS管,或者就用三极管,把基极电阻改小一点,改到470Ω左右试一试,

    作者:peter_wjp

    恩,目前我基本上也分析出这个问题了。为了保险期间,三极管的电流最好在1A上下,请问有推荐的型号么?贴片的估计没戏了,电流最大也就0.5A

    作者:peter_wjp

    B极电阻改小,是不是在负载电阻比较小的情况下让三极管工作在饱和区域?还有就是我的负载电流我能不能直接的以正常工作时候在电源回路里串接万用表 电流档测量?设计到元件比较多 我一下子还不好计算

    作者:manbo789

    试一试不就知道了,

    作者:wh6ic

    单片机直驱,换个合适的MOSFET吧,才200mA,用比较好买到的S2300或2302吧。G极的电阻值不要过大,小于1K比较好

    作者:peter_wjp

    多谢! 你推荐的管子RDS只有几十毫欧,不错。我也比较倾向用MOS管,不用考虑单片机IO的输出驱动能力。用三极管的话,虽然导通阻值很小,但是需要考虑单片机的驱动能力,负载阻值小,如果让三极管进入饱和区域,必须Rb很小,同时IO口驱动电流要大。估计也只能设置为强推挽模式了

    作者:jasonell

    mosfetz做开关,而且开关频率不高,这个功耗很小的。

    作者:鸟鸟

    作者:peter_wjp

    今天晚上下班继续测试了下,我之前使用的S8550贴片三极管,额定电流500ma,今天测试了下负载电流大概为250ma,等效电阻相当于18欧姆(额定电压4.5V)理论上是满足要求的。Rb电阻为121欧姆,但是B极输出高电平时候,负载电压只有2V左右,初步判定是B极驱动电流不足,三极管工作在放大区,最后将单片机输出口改为推挽输出,负载电压大概在4V左右,基本满足要求。同时还测试了NMOS, BSS138,但是出现G引脚不停的被拉低,单片机不停复位。后来看了下BSS138的额定电流为220ma,应该是过流引起的。电压器件应该跟驱动电流没关系吧,

  • 有效实现LED电流的渐进启动/停止 2017-8-21 7:23:30
  • 采用安森美的NCP5*产品,在获得精确匹配电流后,能精确驱动任何显示屏背光或小功率手电筒中的一组四个led。由连接着IREF引脚和接地的外部电阻器设定输出电流后,启动引脚直接控制芯片。此输出端提供给每个LED恒定的电流,使之在几百微秒内上升到设定值,借助参考引脚实现LED电流渐进启动/停止。这种定制照明系统状态的方法相对简便,并已获广泛应用。本应用描述了该渐进技术相关的电路。

    参考电流

    输出电流是通过设定流入外部电阻器的参考电流来设定的。如图1所示,内部子电路提供外部电阻600 mV的偏置电压。IREF引脚上的电压通过连接到NMOS M3的运算放大器U1和根据精确内置带隙电压基准产生的600 mV参考电压进行调节。流经外部电阻器R2的电流通过PMOS M1 & M2产生镜像,在硅片级调整M1/M2大小,获取1:10的比例。如此,M1流过1mA时,M2漏极可产生10mA。

    电流流经NMOS M4/M5产生的电流镜像,这两个器件的净比例为1:25,此时10mA可在M5漏极产生250mA电流。由于外部LED连接到该漏极,因而流入LED的电流即为漏极电流,且该值仅与外部电阻器设定的参考电流和M1/M5总比率的乘积有关。

    显然,子电路设计用于支持应用中需要的参考电流水平。由于每个LED最大负载电流为25 mA,参考电流最大值为100mA。如果外部电阻器下降到5.2 kΩ以下,参考电流将下降,且LED电流不能进一步增大,参见NCP5*数据表中的公差。

    上电次序

    假设芯片连接到适当的电源(置Vbat最小值为3V,最大值为5.5 V),启动引脚设置为高时,内置系统被启动,参见图2。此时,外部储能电容充电完成前,LED无电流流过,Vout电压必须高于正向电流产生前的LED Vf。另一方面,有意限制电池的启动输入电流,储能电容上电压的上升时间同样受到限制,而启动LED需要200ms。当然,对肉眼来说,200ms极快,同时对最终用户来说,该照明转瞬即逝。

    另一方面,若LED关断,或正向电流关闭,储能电容缓慢放电:转换器不会从零重新启动,无需200ms也可达到LED Vf。

    渐进启动/停止过程

    基本概念是当启用信号设置为高或低时,逐渐打开/关闭LED,而不使用MCU端口上额外的输入/输出引脚。由于芯片未集成可编程寄存器,不可能用纯数字的方法提供该功能。替代方法是采用连接内置参考电流的模拟结构以控制LED电流。

    可以用伪镜像结构中的NPN晶体管开发简单的应用,强制参考电流按照如图3的PSPICE模型所示流入IREF引脚。电流镜像代表NCP5*电路,渐进功能用晶体管Q1和相连网络实现。电阻R2形成最大参考电流,从而实现LED最大正向电流流入。基本上,启动信号用于对连接在晶体管Q1基极/接地之间的电容C1进行指数式充电。一旦电压达到晶体管Vbe时,集电极电流流过,强制参考电流斜率根据R1/C1网络达到所需的时间。最后,Q1集电极电压受NCP5*提供的恒定电压钳制,参考电流为(Vref-Vcesat)/R2。一般来说,集电极/发射极压降较小(范围是50 mV),在无高精度要求的应用中可以忽略。

    但是,计算外部电阻器时将其纳入考虑范围可适当补偿这种压降。PSPICE模型捕捉的波形展示了这种电路特性(图4)。

    可以看到,关闭时的曲线比打开时平缓,原因是两个时间段的参考电压有很大不同。尽管这并非关键性问题,但一些应用可能需要更对称的时序,可以将额外电阻连接到小信号二极管来实现。图6根据图5 PSPICE基本电路图给出了波形,说明了通过接入D2和R8可以实现的性能。



    典型应用如图7所示,时序可以调整,以便应对不同的状态。任何情况下,延迟电容(图7电路图中的C5)必须为陶瓷型,以减小漏电流,低成本的电解电容不适合在这应用。如前所述,无需MCU的额外输入/输出即可激发渐进时序,启动信号即可实现两种功能。

    另一方面,电流参考电阻(图7电路图中的R3)减小到5.6 kΩ时,可补偿晶体管Q1的Vcesat。

    图8、图9中的波形说明了采用Rb=1.3 MΩ/Cbe=2.2mF产生软启动时,输出至4个LED的电流均为25 mA。当然,通过调整Rb/Cbe网络可以增加或减小斜升延迟。但1.5 MΩ以上的Rb值将造成系统对环境噪声敏感。如前所述,Cbe电容不可采用低成本电解电容,必须采用陶瓷型电容,以实现所期望的长时序。



    可以采用小信号NMOS器件替代外部晶体管Q1,如BSS138。由于门极输入不吸收电流,可以产生更大时延。虽然还可以采用更小的器件运行这种应用,但必须避免所选NMOS的大Rdson造成的非受控工作电流。实际上,对于Rdson额定值为5000Ω的器件,上述参数变化较大(在整个温度范围内大概为1:2),且输出电流同时变化,使得LED亮度不均匀。因此,必须选择Rdson较小的器件,以确保LED在正常工作中可准确控制。

    另外,由于NMOS的Vt大于双极型器件Vbe的两倍,采用NMOS器件一般不会在开始时序上增加工作延迟:Vbe为0.6 V时,范围在1.5 V。图10和图11中的PSPICE波形解释了这种状态。设计人员可选择适当的器件类型,实现这种功能。



    图7所示的电路图按照软启动观点的预期进行工作,但由于EN为低时,启动信号关闭直流/直流转换器,停止时序突然缩短,造成其它停止时序不相关。为避免形成这样的机制,当停止时序为关键问题时,应采用额外无源网络。图12中的电路图说明了将R/C/D网络连接到EN引脚方面的改进。

    当启动信号升高时,二极管D1对电容C5快速充电,并且在EN引脚上产生一个可以忽略的延迟。但启动信号降低时,情况有所不同:此时与电容C5相连的电阻R2产生一个延迟,使直流/直流转换器保持足够长时间的工作,在关闭过程中产生渐进的调光。如果EN引脚永久连接到高(可能为Vbat),将NMOS用作启动/关闭系统,或者如图13和图14所示,提供一个额外控制NMOS的引脚,便获得更精确的时序设定。





    来源:keji
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